當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
BBY 65-02V H6327
變(bian)容(rong)二(er)極(ji)管(guan) RF DIODE
BBY 58-02V H6327
BAS 40-07 E6327
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) Silicon Schottky Didode
BAS170WE6327HTSA1
BAS 140W E6327
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) Silicon Schottky Diode
BAS140WE6327HTSA1
BAT60AE6327HTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) 10 V 3000 mA
BAT165E6327HTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) Med-Power AF 750mA Schottky Diode 40V
BAT 165 E6327
BAS3010A03WE6327HTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) Medium Power IF Diode
BAS3010B03WE6327HTSA1
BAS7004E6327HTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) 70V 0.07A
BAS 70-05 E6327
BAS 70-04 E6327
BAT 15-03W E6327
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) Silicon Schottky Diodes 4V 110mA
BAT64E6327HTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) 40V 0.12A
BAS3007ARPPE6327HTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) Low VF Schottky Diode Array 30V .9A
BAS4002ARPPE6327HTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) Low VF Schottky Diode Array 40V .2A
BAS7007E6327HTSA1
BAS5202VH6327XTSA1
肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)與(yu)整(zheng)流(liu)器(qi) AF SCHOTTKY DIODE
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
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